Réalisation de jonctions ultra-minces par recuit laser : applications aux détecteurs UV
Auteur / Autrice : | Yannick Larmande |
Direction : | Philippe Delaporte, Thierry Sarnet |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences des matériaux, physique, chimie et nanosciences |
Date : | Soutenance le 23/11/2010 |
Etablissement(s) : | Aix-Marseille 2 |
Ecole(s) doctorale(s) : | Ecole Doctorale Physique et Sciences de la Matière (Marseille) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire lasers, plasmas et procédés photoniques (LP3) (Marseille) |
Jury : | Président / Présidente : Hervé Dallaporta |
Examinateurs / Examinatrices : Philippe Delaporte, Thierry Sarnet, Hervé Dallaporta, Eric Fogarassy, Marcel Pasquanelli, Hasnaa Etienne, Nadjib Semmar | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Eric Fogarassy, Marcel Pasquanelli |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Depuis les années 1970, la taille des composants n’a cessé de diminuer. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est devenue un point clef dans la réduction des dispositifs microélectroniques. Les techniques de production doivent évoluer afin de répondre aux spécifications drastiques, en termes de taille des zones dopées et de leurs propriétés électriques, des prochains noeuds technologiques. Dans ce travail de thèse nous avons étudié le procédé d’activation au laser de dopants implantés par immersion plasma. Le laser à excimère utilisé (ArF) est absorbé dans moins de 10 nmde silicium, ce qui va permettre un recuit local. De plus, la courte durée d’impulsion va assurer un faible budget thermique, limitant la diffusion des dopants. En associant cette technique à l’implantation ionique par immersion plasma, dont l’intérêt est de pouvoir travailler à de très basses tensions d’accélération (quelques dizaines d’eV), nous pouvons réaliser des jonctions avec un fort taux d’activation sans diffusion. Après avoir présenté les différentes techniques de dopage pouvant être utilisées, nous avons décrit les dispositifs expérimentaux de traitement et de caractérisation utilisés. Des simulations ont permis de comprendre le rôle des paramètres laser sur le profil de température du siliciumen surface. Après avoir choisi le laser le plus adapté parmi les lasers ArF, KrF et XeCl (respectivement: 193 nm - 15 ns, 248 nm - 35 ns, 308 nm - 50 ns), nous avons observé l’effet du nombre de tirs et de la mise en forme de faisceau afin d’optimiser le procédé. Pour terminer, des inhomogénéités dues aux bords de faisceau ont été mises en évidence et étudiées afin d’enlimiter l’effet.