Boîtes et fils de Ge sur Si(001) ordonnés à longue distance par des réseaux de dislocations de flexion

Ordered growth of germanium dots induced by the strain field of tilt dislocations in molecular bonded silicon (001) thin films

• Auteur / Autrice : Valier Poydenot
• Direction : Jean-Luc Rouvière
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 2005
• Etablissement(s) : Grenoble 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microscopie électronique en transmission

Germanium

Silicium

Épitaxie par faisceaux moléculaires

Mots clés libres

Collage moléculaire

Champs de déformation

Résumé

L'élaboration de nanostructures semi-conductrices ordonnées, contrôlées en taille et en position, est un enjeu technologique important pour satisfaire les besoins de miniaturisation des circuits actuels de la micro/nano-électronique. Dans cette thèse, une méthode originale d'organisation latérale de nanostructures a été explorée et appliquée au cas de nanostructures de germanium épitaxiées sur silicium (001). Cette technique utilise un réseau de dislocations de flexion proche de la surface libre du substrat, obtenu par collage moléculaire. Un champ de déformation élastique, périodique, se propageant de l'interface de collage jusqu'à la surface des échantillons, nous avons pu obtenir une croissance organisée de nanostructures de germanium.

The growth of ordered semiconductor nanostrucutres, with a controlled size and position, is an major technologic challenge. In this study, we propose an original method to grow by molecular beam epitaxy ordered germanium nanostructures on silicon (001). A periodic array of tilt dislocations is obtained by molecular bounding, and induces a periodic strain field at the surface of the substrate. The observed organization of germanium nanostructures is due to the strain field generated on the silicon surface by an interfacial tilt dislocation array.