Optimisation et modélisation de protections intégrées contre les décharges électrostatiques, par l'analyse de la physique mise en jeu

Optimization and modelling of high robustness integrated ESD protections

• Auteur / Autrice : David Trémouilles
• Direction : Marise Bafleur
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 2004
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes (Toulouse1968-....)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Modèles entité-association

Transistors bipolaires

Mots clés libres

Lasers

Résumé

Les travaux présentés dans ce mémoire visent à améliorer la méthodologie de conception et les performances des stratégies de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) dans les circuits intégrés. Pour cela, l'approche choisie est basée sur une analyse approfondie de la physique des composants soumis aux ESD et plus particulièrement, les effets des très fortes densités de courant. L'étude, focalisée sur les transistors bipolaires autopolarisés, s'appuie sur la simulation physique 2D et l'utilisation des outils de localisation de défaillance basés sur les techniques de stimulation laser. L'analyse physique en résultant a permis d'une part, de définir des règles de dessin universelles pour l'obtention d'une robustesse ESD élevée et d'autre part, de proposer des macro-modèles de type SPICE originaux pour prendre en compte les effets des fortes densités de courant. Enfin, après avoir mis en évidence plusieurs phénomènes limitant les performances des réseaux de protection, nous avons défini une méthodologie de conception améliorée permettant de les prendre en compte et de garantir la performance des solutions de protections fournies aux concepteurs de circuits.

The research work presented in this thesis is aimed at improving the performance of electrostatic discharges (ESD) protection and the related design methodology for integrated circuits. To achieve this goal, a thorough analysis of the physical mechanisms involved and more precisely of high current density effects has been carried out. Such a study, focused on self-biased bipolar transistors, has been achieved with the help of 2D-numerical simulation and failure localization techniques based on laser stimulation. New universal design guidelines resulting in high performance ESD protections and original SPICE macro-models that take into account high current density effects, are proposed. Finally, the physical mechanisms limiting the performance of ESD protection networks are studied. To cope with these issues, an improved design methodology that guarantees the robustness of ESD protections used by circuit designers, is proposed.