Elaboration et caractérisation physique par microscopies à champ proche de nanostructures semi-conductrices

• Auteur / Autrice : Bernard Legrand
• Direction : Didier Stiévenard
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 2000
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microscopie à force atomique

Semiconducteurs

Nanostructures

Spectroscopie tunnel

Microscopie en champ proche

Résumé

Dans un premier temps, le microscope a force atomique (afm) a ete mis en uvre pour fabriquer des nanofils de silicium isoles du substrat. Apres avoir developpe une technique originale utilisant des impulsions de tension pour realiser l'etape de lithographie par oxydation locale d'une surface de silicium par afm, nous presentons les procedes technologiques permettant de graver les structures et de realiser les contacts electriques. Des fils de silicium dont la largeur est inferieure a 15 nm pour une hauteur comprise entre 5 et 20 nm sont obtenus. Ces nanofils de silicium sont caracterises du point de vue electrique par des mesures courant-tension. Nous notons que ce type de structure est tres sensible aux defauts d'interface et a la qualite des surfaces. Ce travail ouvre la voie a la detection infrarouge par des composants tout silicium. Dans un second temps, nous nous sommes interesses a l'etude de systemes autoorganises.