Recherche Avancée

Thèse soutenue

Développement des méthodes de mesures en hyperfréquences sur tranches de silicium et application à la caractérisation des technologies CMOS et BICMOS sub-microniques

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Auteur / Autrice : Jean-Louis Carbonero
Direction : Béatrice Cabon
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences appliquées
Date : Soutenance en 1996
Etablissement(s) : Grenoble INPG

Résumé

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La reduction spectaculaire des dimensions des transistors bipolaires et mosfet en technologies cmos et bicmos s'est accompagnee d'une croissance des densites d'integration et surtout d'une augmentation tout aussi spectaculaire des performances de ces transistors. Des frequences de transition de 20 ghz sont aujourd'hui atteintes pour des technologies silicium sub-microniques en phase industrielle. Ces technologies sont appelees a jouer un role important pour la realisation de circuits integres radiofrequences et hyperfrequences. En raison des performances dynamiques toujours plus grandes de ces transistors, les mesures de parametres s et du facteur de bruit, dans le domaine des hyperfrequences ont ete introduites pour le developpement de ces nouvelles technologies et la construction des modeles de dispositifs passifs et actifs, indispensables a la conception des circuits integres analogiques hyperfrequences. Les methodes de mesures hyperfrequences, realisees a l'aide d'analyseurs vectoriels de reseaux, et de caracterisation du facteur de bruit des transistors sont presentees dans une approche de test industriel. Les etapes de mesure, de calibrage et de correction, specifiquement appliquees a la caracterisation des technologies cmos et bicmos sur tranche de silicium, ont ete automatisees et decrites ainsi que les outils necessaires a cette caracterisation. Les resultats d'extraction des frequences de transition, des frequences maximales d'oscillation et des parametres de modeles des dispositifs actifs tels que les transistors bipolaires et mosfet, mais aussi les resultats de caracterisation d'elements passifs tels que les inductances ou les lignes de transmission sont presentes pour les technologies avancees cmos et bicmos 0,7 et 0,5 um