Structure électronique et propriétés optiques des hétérostructures InGaAs-GaAs

par Gérald Arnaud

Thèse de doctorat en Milieux denses et matériaux. Matériaux pour la microélectronique et la microionique

Sous la direction de Henry Mathieu.

Soutenue en 1991

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    Ce travail traite de la structure electronique et des proprietes optiques de puits et multi-puits quantiques in#xga#1##xas-gaas pour differentes valeurs de la composition x et de differentes largeurs de puits. Dans un premier temps, nous avons developpe le formalisme necessaire afin d'obtenir les etats propres relatifs aux fonctions propres des etats lies et quasi lies dans ces structures. Ensuite, nous avons tente d'estimer la valeur de l'offset de bande mal connu dans ces systemes. Enfin, dans la derniere partie nous avons employe la contrainte uniaxiale qui nous a permis d'identifier sans ambiguite le caractere des transitions excitoniques observees. Cela apporte des informations utiles a propos de la localisation des trous legers dans ces systemes, puisque la question de savoir si la transition electron-trou leger de type un ou de type deux est encore ouverte

  • Titre traduit

    Electronic structure and optical properties of ingaas-gaas heterostructures


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Informations

  • Détails : [2] f., [4], 196 [i.e. 197] p
  • Annexes : Notes bibliogr

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  • Bibliothèque : Bibliothèque interuniversitaire. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS 91.MON-242
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