Etude et réalisation de photorécepteurs pour les longueurs d'onde 1,3 um - 1,55 um intégrés monolithiquement à base de nouvelles structures semiconductrices à fort désaccord de mailles

Study and realization, of 1,3-1,55 mu m wavelength, monolithically integrated photoreceivers, based on new semiconductor structures with large lattice mismatch

• Auteur / Autrice : Atoosa Hosseini Tehrani
• Direction : Didier Decoster
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Photorécepteurs (molécules)

Résumé

L'objet de ce travail est d'étudier dans quelle mesure, il est possible d'adapter la technologie de la filière GaAs, aux matériaux de la filière InP, pour la fabrication d'une tête de réception optique intégrée monolitrhiquement et adaptée aux longueurs d'onde 1,3 mu m et 1,55 mu m. Réalisation technologique de la tête optique intégrée associant une photodiode Schottky en structure planaire et un transistor à effet de champ sur une hétéroepitaxie GaInP/GaInAs/InP. Mise au point d'un logiciel pour optimiser la structure de la tête de réception.