Arséniure de gallium  Arséniure de gallium  Cathodoluminescence  Cinétique de croissance  Composés semiconducteurs  Contraintes  Couche mince  Croissance VLS  Croissance auto-catalysée  Croissance auto-organisée  Croissance catalytique VLS  Croissance sélective  DEL  Diodes électroluminescentes  Dislocations  Dopage  Défauts structuraux  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  Effet laser  Epitaxie en Phase Vapeur par la méthode aux Hydrures  Fluctuation de la composition  GaAs  GaN  HVPE  Heteroepitaxie  Hétérostructures InGaN/GaN  InGaN  InN  Led  Matériaux III-V  Nanofils  Nanofils GaAs  Silicium  Épitaxie  Épitaxie par faisceaux moléculaires  

Yamina André a rédigé la thèse suivante :

Etude par spectroscopies électroniques de la nitruration de semi-conducteurs III/V GaAs et InP

par Yamina André sous la direction de Bernard Gruzza - Clermont-Ferrand 2

Physique des matériaux

Soutenue en 2002

Yamina André a dirigé les 3 thèses suivantes :

HVPE-Grown GaAs Nanowires : Growth Modeling, Passivation and Transport Properties

par Hadi Hijazi sous la direction de Christine Robert-Goumet et de Yamina André . - Clermont Auvergne

Physique

Soutenue le 25-10-2019

Contrôle de l'homogénéité et de la composition en indium dans les nanofils InGaN synthétisés par HVPE

par Mohammed Zeghouane sous la direction de Agnès Trassoudaine et de Yamina André . - Clermont Auvergne

Physique des Matériaux

Soutenue le 02-10-2019

Croissance par HVPE et étude des propriétés optiques de microfils de GaN et de nanofils d'InxGa1-xN en vue de la réalisation de diodes électroluminescentes

par Elissa Roche sous la direction de Joël Leymarie , Agnès Trassoudaine et de Yamina André . - Clermont-Ferrand 2

Physique des Matériaux

Soutenue le 10-11-2016

Yamina André a été rapporteur des 2 thèses suivantes :

Growth and characterization of GaN/lnGaN nanowire heterostructures

par Xin Zhang sous la direction de Bruno Daudin et de Bruno Gayral . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanophysique

Soutenue le 05-04-2017

Hétéroépitaxie de GaN sur Si : De la nucléation à la relaxation des contraintes, étude par microscopie électronique en transmission

par Nicolas Mante sous la direction de Philippe Vennéguès - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Physique des matériaux

Soutenue le 05-07-2016

Yamina André a été membre de jury des 4 thèses suivantes :

Corrélation luminescence/défauts étendus dans les structures à puits quantique InGaAs épitaxiées sélectivement sur substrats Si

par Joyce Roque sous la direction de François Bertin - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanophysique

Soutenue le 17-12-2018

Synthesis of GaAs nanowires and nanostructures by HVPE on Si substrate. Application to a microbial fuel cell based on GaAs nanowires

par Zhenning Dong sous la direction de Evelyne Gil - Clermont Auvergne

Matériaux et Composants pour l'Electronique

Soutenue le 15-03-2017

Micro- et nanofils de Ga (In)N et GaAs par épitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures (HVPE)

par Geoffrey Avit sous la direction de Evelyne Gil - Clermont-Ferrand 2

Matériaux et Composants pour l'Electronique

Soutenue le 16-12-2014

Le procédé HVPE pour la croissance de nanofils semiconducteurs III-V

par Kaddour Lekhal sous la direction de Agnès Trassoudaine - Clermont-Ferrand 2

Physique des Matériaux

Soutenue le 18-02-2013