Christian Brylinski
IdRefMots clés
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EN
Épitaxie
Nitrure de gallium
Électronique de puissance
GaN
Semiconducteurs -- Dopage
MOVPE
Carbure de silicium
Silicium -- Substrats
SiC
Cathodes
VLS
Protection périphérique
Diodes électroluminescentes
Indium
Puits quantiques
Dépôt en phase vapeur par organométalliques
Diodes à barrière de Schottky
Hétéroépitaxie
Couches minces
Diamant