ARV  Absorption par deux photons  Aire de sécurité de fonction  AlGaN  AlGaN/GaN  AlInN/GaN  Aluminium  Analyse de défaillance  Analyse des dégradations  BTI  Bandes d’énergie  Bruit aux basses fréquences  Bruit électronique  Bti  CI analogique et mixte  CMOS 65 nm basse puissance  Calibrage sur silicium  Caractérisation  Caractérisation Electrique  Caractérisation électrique  Caractérisation électrique.  Caractérisations électriques  Caractéristiques I-V et C-V  Carbure de silicium  Champs électriques  Circuits intégrés  Cmos/pmos  Commande robuste  Composants III-V  Composants électroniques  Contraintes thermiques  Contraintes électriques  Contraintes électrothermiques  Courant de grille  Current collapse  Cycles thermiques  D-mode  De-embedding  Diode Schottky  Diodes à barrière de Schottky  Dispositifs à microondes  Diélectrique  Défaut dynamique  Dégradation de l’oxyde de grille  Dégradation par porteurs chauds  Détérioration  E-mode  Effects parasites  Effets de pièges  Effets d’antenne  Effets parasites  Effets singuliers  Emission par porteurs chauds  Encapsulation  Encapsulation plastique  Extraction de paramètres  FDSOI  Fabrication  Faisceaux laser  Fiabilité  GaAs  GaAsSb  GaN  GaN HEMT  GaN HEMT de puissance,  Gallium -- Composés  Gauchissement hygromécanique  Gauchissement thermomécanique  Gaz bidimensionnel d'électrons  Gaz d'électrons  Grille ultra-courte  Génération de seconde harmonique induite par laser  HEMT  HEMT AlGaN/GaN  HEMT GaN  HEMTs  Harmoniques  Herméticité  High-K  High-K oxyde  Hyperfréquences  Hétérojonction AlGaN/GaN  Implantation de lois de vieillissement  InAlN  InGaAs  InP  InP HBT  Intégration monolithique  Laser  Lasers -- Applications industrielles  Layout  Localisation de défauts « soft »  Logiciels  MOS  MOS complémentaires  Matériaux -- Détérioration  Mesure de champs électriques dans les circuits intégrés  Micro-batteries  Microscopie à émission de lumière dans le domaine visible-proche infrarouge et dans le domaine de l'UV  Microélectronique  Mise sous boîtier  Mobilité effective / Hall  Modes de défaillance  Modèle  Modèle Agilent HBT  Modèle HICUM  Modèle compact de vieillissement  Modélisation  Modélisation HCI  Modélisation compacte  Modélisation et simulations électriques de l’interaction faisceau laser-CI  Modélisation électrothermique  Mosfet  Mécanisme de défaillance  Mécanismes de dégradation  Méthodologie  Nbti  Nitrure de gallium  Normally-off  Normally-on  Ondes kilométriques  Optique non linéaire  Oscillateurs en anneau  Photoabsorption  Physique du composant  Phénomène photo-thermique et photoélectrique  Pièges optiques  Piégeage  Piégeage de charge à l’interface Si/SiO2  PoP  Porteurs chaud  Porteurs chauds  Process  Procédé plasma  Produits discrets  Préparation d'échantillon  Relaxation  Robustesse  Satellites artificiels  Semiconducteurs à l'arséniure de gallium  Semiconducteurs à large bande interdite  Silicium -- Substrats  Simulation  Simulation EM  Simulation TCAD  Simulation par ordinateur  Simulation physique 2D TCAD  Simulation physique  Single Event Burnout  Sources de bruit en 1/f  Spatial  Spectroscopie de photoélectrons  Statistique  Stimulation par faisceau laser continu en faible perturbation  Stress en polarisation  THB  Tbh  Tddb  Techniques PICA et TRE  Techniques xVM  Temps entre défaillances, Analyse des  Température  Test THB  Test de vieillissement accéléré  Test par faisceau Laser pulsé  Test par faisceau laser pulsé TPA  Tests de vieillissement accéléré  TiN grille metallique  Transistor FDSOI  Transistor MOS  Transistors  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transistors de puissance  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Transitoire de courant de drain  Travail de sortie effectif  UMTS  Variabilité  Vieillissement accéléré DC  Vieillissement accéléré  Vieillissements accélérés  Xps  « Negative Bias Temperature Instability »  Échantillonnage  Électrodiffusion  Électromigration  Épitaxie par faisceaux moléculaires  État de l’art  

Nathalie Labat a rédigé la thèse suivante :


Nathalie Labat a dirigé les 12 thèses suivantes :

Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique
Soutenue en 2006
Thèse soutenue


Nathalie Labat a été président de jury des 9 thèses suivantes :


Nathalie Labat a été rapporteur des 7 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 02-03-2018
Thèse soutenue
Sciences pour l'ingénieur: mécanique, physique, micro et nanoélectronique
Soutenue le 07-07-2017
Thèse soutenue


Nathalie Labat a été membre de jury des 3 thèses suivantes :