3D VLSI integration  Activation de dopants  Activation des dopants  Activation du bore  Adressage  Agglomération du bore  Alliages SiPx  Arsenic  Assemblage grande échelle  Bics  Bore  Bruit basse fréquence  Bruit de phase résiduel  CMOS technologie  Capteur d'image  Capteurs d'images CMOS  Caractérisation électrique  Cmos  Contamination  Contamination métallique  Couches minces  Couches ultrafines  Cvd  Diffusion  Diffusion  Diffusion accélérée et transitoire  Diffusion du bore  Diodes  Diodes en tête-bêche  Diodes à barrière de Schottky  Diélectrophorèse  Dopage  Dopage phosphore  Dopant  Dose active  Défaut ponctuel  Défauts  Défauts cristallins  Défauts structuraux  Défauts {113}  Défauts étendus  Dépôt chimique en phase vapeur  Effet Hall  Effet Hall différentiel  Eor  Exo-diffusion  FDSOI  Facteur de scattering  Fluor  Gan  Germanium  Gravure humide  Hauteur de barrière Schottky  HgCdTe  Hydrogène  Implantation ionique  Indium  Integration 3D  Interdiffusion  Interdiffusion SiGe  Interstitiels  Ions -- Implantation  Jonction MOSFET  Jonctions ultra minces  Jonctions ultra-fines  Jonctions ultra-minces  Jonctions ultraminces  Lasers à excimère  MOS  MOS complémentaires  MOSFET  Maturation d'Ostwald  Matériaux  Matériaux amorphes  Mesure courant-tension-température  Mesure électrique  Microstructure  Microélectronique  Mobilité des porteurs  Modèle électrique de bruit  Modélisation  Mos  Métaux  Nanocristaux  Nanocristaux de silicium  Nanofabrication  Nanofils  Nanoélectronique  Nitrure  Niveau profond  Oxyde  Oxyde de silicium  Phosphore  Photoluminescence  Process basse temperature  Procédé à faible température  Propriétés électroniques  Préamorphisation  Recuit laser  Résistance de contact  Science des matériaux  Semi-conducteurs  Semiconducteurs -- Diffusion des impuretés  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs -- Défauts  Semiconducteurs -- Jonctions  Semiconducteurs  SiGe  Silanol  Silicium -- Couches minces  Silicium  Silicium contraint  Silicium sur Isolant  Silicium sur isolant complétement déplété  Siliciures  Sims  Simulation TCAD  Simulation par ordinateur  Simulation prédictive  Soi  Sper  Spreading resistance  Ségrégation de dopants  Tellurure de mercure et de cadmium  Transistor submicronique  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires à hétérojonction  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transistors à effet de champ  Transistors à haute mobilité électronique  Évaporation  

Filadelfo Cristiano a dirigé les 11 thèses suivantes :


Filadelfo Cristiano a été rapporteur des 7 thèses suivantes :

Physique et sciences de la matière. Matière condensée et nanosciences
Soutenue le 08-12-2016
Thèse soutenue

Mécanique, physique, micro et nanoélectronique
Soutenue le 02-02-2016
Thèse soutenue

Filadelfo Cristiano a été membre de jury de la thèse suivante :