14 nm  AlGaN  Capteurs  Capteurs optiques  Capteurs piézoélectriques  Caractérisation  Catalyse  Cellule solaire tandem InGaN/Si  Cellules solaires  Coeur-Coquille  Composant  Composés semiconducteurs  Contrainte  Contrainte de cisaillement  Contraintes  Contrante  Contrôle non destructif  Croissance  Croissance Epitaxiale  Croissance cristalline  Croissance sélective  Croissances MOCVD  Diffraction  Diffraction cohérente  Diffusion  Diode électroluminescente  Diodes électroluminescentes  Dopage  Déformation 2  Déformations  EPVOM  Effets de taille  Fd-Soi  Fully depleted silicon on insulator  GaN  Germanium  Gixrd, gisaxs  Gravure chimique préférentielle  Grazing incidence X-ray diffraction  Hautes pressions  Heterostructure  High Electron Mobility Transistors  Hétérostructures  Hétérostructures photonique  III-N  Imagerie par diffraction cohérente  Implantation ionique  InAlN  InGaN/GaN  Indium  Ions -- Implantation  Jonction axiale GaAsP  LED  Locale  MOCVD  MOS complémentaires  MOVPE  Matériaux nanostructurés  Mg  Microscopie à force atomique  Microélectronique  Mode VLS-EJM  Modules multipuces  Modélisation  Nanofabrication  Nanofil  Nanofil GaAs coeur/coquille  Nanofils  Nanofils semiconducteurs  Nanofils uniques  Nanoparticules métalliques  Nanostructuration 2D  Nanostructure  Nanostructures  Nanoélectronique  Nitrure de gallium  Nitrures  Optique  Opto-électronique  Optoelectronique  Optoélectronique  Photonique  Photopiles  Photovoltaïque  Photovoltaïques  Piezogénérateur  Piézoélectricité  Piézoélectrique  Polymorphisme  Production -- Contrôle  Préparation de surface  Puits quantiques  Rayonnement synchrotron  Rayons X -- Diffraction  Rayons X -- Diffusion  Rayons X  Rsd.  Réseau de Bragg  Réseaux de dislocations  Résonance plasmon  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs  Semiconducteurs III-V  Semiconducteurs piézoélectriques  Si  SiCoNi Preclean  SiGe  SiGe:B  Silicium  Spectroscopie à haute pression  Strained silicon on insulator  Structuration de surface  Surfaces vicinales du saphir  Synchrotron  Sélective  Technologie silicium sur isolant  Traitements de surface  Transformation de phase  Transformation martensitique  Transistor  Transistors MOSFET  Transistors bipolaires à hétérojonctions  Transistors à effet de champ à dopage modulé  Transitions de phases  ZnO  Électronique  Énergie solaire  Épitaxie  

Joël Eymery a rédigé la thèse suivante :


Joël Eymery dirige actuellement les 2 thèses suivantes :

Nanophysique
En préparation depuis le 01-10-2018
Thèse en préparation

Physique de la Matière Condensée et du Rayonnement
En préparation depuis le 09-01-2017
Thèse en préparation


Joël Eymery a dirigé les 12 thèses suivantes :

Nano electronique et nano technologies
Soutenue le 10-11-2017
Thèse soutenue

Sciences et technologie industrielles
Soutenue le 14-12-2011
Thèse soutenue
Physique de la matière condensée et du rayonnement
Soutenue le 04-10-2011
Thèse soutenue


Joël Eymery a été rapporteur des 4 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 04-12-2018
Thèse soutenue
Physique et sciences de la matière. Matière condensée et nanosciences
Soutenue le 01-12-2016
Thèse soutenue

Joël Eymery a été membre de jury des 4 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 13-11-2018
Thèse soutenue