3C-SiC  4H-SiC  Analyse SIMS et C-V  Axial next-neared neighbour ising  Azote  Bore  CVD  Caracterisation  Caractérisation de semiconducteur  Carbone  Carbure de silicium  Cartographie de l’espace réciproque  Composites à matrice céramique  Compétition de site  Condensateurs MOS  Conservation de l'énergie  Couche de piégeage  Couche mince  Couches minces  Couverture de surface  Crazing  Cristallogenese  Cristallogenèse  Cristaux -- Croissance  Croissance CVD  Croissance cristalline  Cérium  Diamant -- Couches minces  Diamant microcristallin  Diamant monocristallin  Diodes PN  Dislocations  Dislocations dans les cristaux  Dislocations dans les semiconducteurs  Dkdp  Dopage  Dopage au Carbone  Dopage au bore  Dureté  Décomposition de l'eau  Défauts cristallins  Dépôt chimique en phase vapeur  Dépôt en phase vapeur par organométalliques  EBSD  Epitaxie  Expérimental  Fibres inorganiques  Fibres minérales  GeH4  Haute résistivité  Homoépitaxie  Hétéroépitaxie  Ilots  Incorporation N et Al  Incorporation de Ge  Infiltration en phase liquide  Interface  Lacbed  Liquides  LuAG  Macles  Matériaux céramiques  Mesure LPTL  Met  Micro-Raman  Micro-pulling down  Microscopie électronique en transmission  Mobilité  Modulation des réactions chimiques  Modélisation  Monte-Carlo, Méthode de  Mécanisme de croissance  Mécanismes vapeur-liquide-solide  Nanoindentation  Nitrure d'aluminium  Nucléation  Optique cristalline  PVT  Paramètre de maille  Phase liquide  Photoluminescence  Photoélectrolyse  Physical vapor transport  Plasmas microondes  Polarité du matériau  Polytype  Porteurs libres  Production d'hydrogéne  Rayons X -- Diffraction  Réacteur MPACVD  Réaction aux interfaces  Scintillation  Semi-conducteurs  Semiconducteur  Semiconducteurs -- Dopage  Semiconducteurs -- Défauts  Semiconducteurs  Semiconducteurs dopés  Semiconducteurs à large bande interdite  SiC  SiC-3C  SiC/SiC  Silicium -- Substrats  Silicium cristallisé  Silicium polycristallin  Sims  Simulation  Simulation par ordinateur  Solution growth  Spectroscopie Raman  Stockage d'énergie  TSSG  Texturation  Thermodynamique  Transition 3C-6H  Électrochimie  Électronique de puissance  Épitaxie  Épitaxie CVD  

Didier Chaussende a rédigé la thèse suivante :

Sciences. Chimie inorganique
Soutenue en 2000
Thèse soutenue


Didier Chaussende dirige actuellement les 2 thèses suivantes :

2MGE : Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
En préparation depuis le 22-07-2018
Thèse en préparation

2MGE : Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
En préparation depuis le 08-11-2016
Thèse en préparation


Didier Chaussende a dirigé les 8 thèses suivantes :

Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 09-11-2017
Thèse soutenue
Matériaux, mécanique, génie civil, et électrochimie
Soutenue en 2009
Thèse soutenue

Didier Chaussende a été président de jury de la thèse suivante :

Matériaux, Mécanique, Génie civil, Electrochimie
Soutenue le 15-11-2017
Thèse soutenue

Didier Chaussende a été rapporteur des 8 thèses suivantes :

Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Soutenue le 27-11-2018
Thèse soutenue


Didier Chaussende a été membre de jury des 3 thèses suivantes :

Milieux denses, matériaux et composants
Soutenue le 10-07-2012
Thèse soutenue