, bruit 1/f  3D VLSI integration  7 nm  A2ram  Autoalignment des canaux isolants  Autoechauffement  Basse consommation  Basse température  Bruit  Bruit blanc  Bruit à basse fréquence  Bruit électrique  Bruit électronique  Bti  C-V  CMOS  CMOS avancés  Capteur d’image CMOS  Capteurs d'images CMOS  Caractérisation  Caractérisation électrique  Fiabilité  MOS  MOS complémentaires  Microélectronique  Modélisation  Mosfet  Nanofil  Nanofils  Si  SiGe  Simulation  Technologie silicium sur isolant  Transistors  Transistors MOSFET  Variabilité  

Francis Balestra dirige actuellement les 2 thèses suivantes :

Caractérisation et modélisation de dispositifs FET en Si et III-V en condition cryogénique profonde

par Francesco Serra Di Santa Maria sous la direction de Francis Balestra et de Christoforos Theodorou . - Université Grenoble Alpes

Nano electronique et nano technologies

En préparation depuis le 20-12-2019

Simulation, fabrication et caractérisation électrique de transistors MOS avancés pour une intégration 3D monolithique

par Daphnée Bosch sous la direction de Francis Balestra , Claire Fenouillet-beranger et de François Andrieu . - Université Grenoble Alpes

Nano electronique et nano technologies

En préparation depuis le 01-01-2017

Francis Balestra a dirigé les 25 thèses suivantes :

Fabrication et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils de silicium empilés et à grille enrobante réalisés par approche Gate-Last pour les noeuds technologiques sub-7 nm.

par Loic Gaben sous la direction de Francis Balestra et de Thomas Skotnicki . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 19-10-2017

Mémoires embarquées non volatiles à grille flottante : challenges technologiques et physiques pour l’augmentation des performances vers le noeud 28nm

par Adam Dobri sous la direction de Francis Balestra - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 13-07-2017

Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm

par Imed Ben Akkez (Ben akkez) sous la direction de Francis Balestra - Grenoble

Sciences et technologie industrielles

Soutenue le 20-12-2012

Caractérisation et modélisation des propretés électriques et du bruit à basse fréquence dans les transistors organiques à effet de champ (OFETs)

par Yong Xu sous la direction de Francis Balestra et de Gérard Ghibaudo . - Grenoble

Micro et nanoélectronique

Soutenue le 30-09-2011

Etude de la fiabilité sous éclairement des transistors spécifiques aux applications capteurs d'images à pixels actifs

par Diana Lopez El Kouri sous la direction de Francis Balestra et de Stéphane Ricq . - Grenoble INPG

Micro et nano-électronique

Soutenue en 2009

Transistors à grilles multiples adaptés à la conception

par Robin Cerutti sous la direction de Francis Balestra et de Thomas Skotnicki . - Grenoble INPG

Micro et nano-électronique

Soutenue en 2006

Étude, réalisation et caractérisation de transistors silicium sur isolant complètement désertés de longueur de grille inférieure à 25 nm

par Jérôme Lolivier sous la direction de Francis Balestra et de Simon Deleonibus . - Grenoble INPG

Micro et nano-électronique

Soutenue en 2005

Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés

par Fayçal Rahmoune sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Optique et radiofréquences

Soutenue en 2004

Performances et fiabilité des transistors MOS SUB-0. 1[mu]m

par Bogdan Mihail Cretu sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Physique des composants à semiconducteurs

Soutenue en 2003

Contribution à l'étude des performances et de la fiabilité des architectures MOS fabriquées en technologie silicium massif, silicium sur isolant et silicium germanium

par Olivier Potavin sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Physique des composants

Soutenue en 2003

Etude de dispositifs MOS de longueur de grille inférieure ou égale à 30 nm

par Guillaume Bertrand sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Micro-électronique

Soutenue en 2002

Application de la microscopie d'émission de photons à la caractérisation de composants en carbure de silicium (SiC)

par Christophe Banc sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Optique, optoélectronique et micro-ondes

Soutenue en 2001

Etude physique de dispositifs SOI partiellement désertés fortement sub-microniques

par Claire Fenouillet-Béranger sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

MicroélectroniqueMicroélectronique

Soutenue en 2001

Comportement en bruit basse fréquence des principales architectures de composants MOS/SOI avancés

par Sébastien Haendler sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

MicroélectroniqueMicroélectronique

Soutenue en 2001

Nouvelles architectures de grille pour les générations CMOS 0. 1 µm et en deça

par Emmanuel Josse sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Microélectronique

Soutenue en 2000

Caractérisation et modélisation en radiofréquence de composants intègres en technologies silicium-sur-isolant

par Olivier Rozeau sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

microélectroniquemicroélectronique

Soutenue en 2000

Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques

par Bertrand Szelag sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Sciences appliquées

Soutenue en 1999

Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 µm : influence de l'architecture des composants

par Bertrand Marchand sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Sciences et techniques

Soutenue en 1999

Etude des dispositifs MOS de longueur de grille inférieure à 0,1 µm : vers les limites de l'intégration du CMOS sur silicium

par Christian Caillat sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Microélectronique

Soutenue en 1999

Modélisation et simulation numérique des propriétés électriques des transistors MOS-SOI avancés

par Emmanuel Rauly sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Sciences appliquées

Soutenue en 1999

Effets de porteurs chauds dans les composants mos/soi ultracourts (0. 5 µm sub-0. 1 µm)

par Shing-Hwa Renn sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Sciences appliquées

Soutenue en 1998

Etude et mise au point de transistors bipolaires NPN à structure double-polysilicium intégrables dans une technologie BiCMOS 0,35 µm

par Laurence Ailloud-Boissonnet sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Optique, optoélectronique et microondes

Soutenue en 1998

Propriétés électriques et modèles physiques des composants mos/soi (simox) à température ambiante et cryogénique

par Jalal Jomaah sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Sciences appliquées

Soutenue en 1995

Etude et réalisation de transistors à effet de champ à canal InP pour l'intégration optoélectronique

par Kamal Naït-Zerrad sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Optique, optoélectronique et microondes

Soutenue en 1995

Propriétés électriques et modèles physiques des composants MOS à basse température pour la cryomicroélectronique

par Ayoub Emrani sous la direction de Francis Balestra - Grenoble INPG

Optique, optoélectronique, micro-ondes

Soutenue en 1992

Francis Balestra a été président de jury des 13 thèses suivantes :

Modélisation, simulation et caractérisation électrique de cellule mémoire DRAM 1T : A2RAM

par Francois Tcheme wakam sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 18-12-2019

Etude et développement de diélectriques avancés pour des transistors imprimés low-voltage

par Alexandre Gaitis sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 13-06-2019

Fabrication et caractérisation de transistor réalisée à basse température pour l'intégration 3D séquentielle

par Jessy Micout sous la direction de Gérard Ghibaudo , Perrine Batude et de Quentin Rafhay . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 08-03-2019

Electrical characterization & modeling of the trapping phenomena impacting the reliability of nanowire transistors for sub 10nm nodes

par Artemisia Tsiara sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 06-03-2019

Fabrication, caractérisation électrique et fiabilité des OTFTs imprimés sur substrat plastique

par Clara Haddad sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 20-12-2018

Etude statistique et modélisation de la dégradation NBTI pour les technologies CMOS FDSOI et BULK.

par Damien Nouguier sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 28-09-2018

Etude des mécanismes physiques de fiabilité sur transistors Trigate/Nanowire

par Antoine Laurent sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 05-04-2018

Etude de mémoire non-volatile hybride CBRAM OXRAM pour faible consommation et forte fiabilité

par Cécile Nail sous la direction de Christophe Vallée - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 30-01-2018

Caractérisation et modélisation de UTBB MOSFET sur SOI pour les technologies CMOS avancées et applications en simulations circuits

par Theano Karatsori sous la direction de Gérard Ghibaudo - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nano electronique et nano technologies

Soutenue le 12-07-2017

Filière technologique hybride InGaAs/SiGe pour applications CMOS

par Lukas Czornomaz sous la direction de Sorin Cristoloveanu et de Jean Fompeyrine . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 22-01-2016

MOS Capacitor Deep Trench Isolation (CDTI) for CMOS Image Sensors

par Nayera Ahmed sous la direction de Guo Neng Lu et de François Roy . - Lyon 1

Microélectronique

Soutenue le 08-04-2015

Full-band quantum transport simulation of advanced nanodevices

par Sylvan Brocard sous la direction de Marco Pala et de Gérard Ghibaudo . - Grenoble

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 20-10-2014

Optimisation de dispositifs FDSOI pour la gestion de la consommation et de la vitesse : application aux mémoires et fonctions logiques

par Jean-Philippe Noël (Noel) sous la direction de Amara Amara - Grenoble

Sciences et technologie industrielles

Soutenue le 14-12-2011

Francis Balestra a été membre de jury des 5 thèses suivantes :

Etude du bruit électrique basse fréquence dans des technologies CMOS avancées

par Beya Nafaa sous la direction de Bogdan Mihail Cretu - Normandie

Electronique, microélectronique, optique et lasers, optoélectronique microondes

Soutenue le 18-12-2018

Electrical characterization of fully depleted SOI devices based on C-V measurements

par Blend Mohamad sous la direction de Gérard Ghibaudo et de Charles Leroux . - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 30-05-2017

Etude théorique du dimensionnement d’une matrice bolométrique au pas de 5µm, par report de dispositifs SOI sur structures suspendues pour des applications dans l’imagerie infrarouge non refroidi

par Étienne Fuxa sous la direction de Jalal Jomaah - Université Grenoble Alpes (ComUE)

Nanoélectronique et nanotechnologie

Soutenue le 15-12-2016

Nouvelle architecture de pixel CMOS éclairé par la face arrière, intégrant une photodiode à collection de trous et une chaine de lecture PMOS pour capteurs d’image en environnement ionisant

par Bastien Mamdy sous la direction de Guo Neng Lu et de François Roy . - Lyon

Microélectronique

Soutenue le 30-09-2016

HEMTs cryogéniques à faible puissance dissipée et à bas bruit

par Quan Dong sous la direction de Yong Jin - Paris 11

Physique

Soutenue le 16-04-2013