Développement de la modélisation TCAD pour l'ingénierie de la contrainte dans les dispositifs CMOS avancés sur film minces
Auteur / Autrice : | Olivier Nier |
Direction : | Raphaël Clerc, David Esseni |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Nanoélectronique et nanotechnologie |
Date : | Soutenance le 18/12/2015 |
Etablissement(s) : | Université Grenoble Alpes (ComUE) en cotutelle avec Università degli studi (Udine, Italie) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Institut de microélectronique, électromagnétisme et photonique - Laboratoire d'hyperfréquences et de caractérisation (Grenoble) - Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....) |
Entreprise : STMicroelectronics | |
Jury : | Président / Présidente : Gérard Ghibaudo |
Examinateurs / Examinatrices : Raphaël Clerc, David Esseni | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Christoph Jungemann, Christophe Delerue |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
La conception des dispositifs nanométriques CMOS apporte de nouveaux défis à la communauté TCAD. En effet, de nos jours, les améliorations des performances des transistors ne sont plus simplement dû à une simple diminution des dimensions des dispositifs, mais aussi à l'introduction de boosters de technologies tels que des nouvelles architectures (FDSOI, trigate), des oxydes de grille à forte permittivité, l'ingénierie de la contrainte ou de nouveaux matériaux de canal (Ge, III-V). Pour faire face à tous ces nouveaux défis technologiques, la modélisation TCAD (Technology Computer Aided Design) est un outil puissant pour guider le développement mais aussi pour réduire les coûts. Dans ce contexte, ce travail de thèse vise à améliorer la modélisation TCAD pour les technologies 28/14 et 10FDSOI, avec une attention particulière sur les impacts des contraintes mécaniques sur leurs performances. Dans un premier temps, les différents mécanismes impactant la mobilité des technologies FDSOI ont été étudiés en détail. Les modèles implémentés dans des outils de simulations avancés (NEGF, Multi subbands Monte Carlo, Kubo-Greenwood) sont étudiés, comparés et des développements du logiciel interne à STMicroelectronics (UTOXPP) sont proposés. Dans un second temps, une approche « top down » a été mis en place. Elle consiste à calibrer les modèles TCAD empiriques non pas sur des mesures mais sur des outils de simulations avancés (Kubo-Greenwood). Les modèles TCAD calibrés montrent de très bons accords avec les mesures de mobilité (split-CV) en variant la température, la polarisation du substrat et l’épaisseur de l’IL (Interfacial layer). Dans un troisième temps, les méthodes utilisées lors de cette thèse pour modéliser les contraintes induites par le procédé de fabrications sont décrites. Enfin, la dernière partie concerne la modélisation TCAD des technologies 28 et 14FDSOI. Des simulations mécaniques sont effectuées pour modéliser les profils de contraintes dans les transistors. Des solutions pour optimiser la configuration des contraintes dans le canal pour ces technologies sont proposées.