Etude de la gravure du carbure de silicium : application à la réalisation de composants de puissance
Auteur / Autrice : | Frederic Lanois |
Direction : | Jean-Pierre Chante |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Génie électronique |
Date : | Soutenance en 1997 |
Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : CEGELY - Centre de génie électrique de Lyon (Rhône1992-2007) |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
En électronique, en général, et en électronique de puissance, en particulier, les composants à base de silicium commencent à montrer des limites directement imputables au matériau. Avec ses excellentes propriétés physiques, le carbure de silicium (SiC) est potentiellement un concurrent sérieux du silicium. Les récents développements, en ce qui concerne la croissance de ce matériau, font de la fabrication de dispositifs de puissance en SiC un objectif à moyen terme. Dans ce cadre, la mise au point d'un procédé de gravure est importante puisqu'elle intervient dans la réalisation de protections périphériques (MESA) et de certains composants (MOSFET en tranchée). La gravure a été réalisée dans un réacteur DECR dans un mélange gazeux à base de SF6 et d'02. Une étude paramétrique a d'abord permis la détermination des grandeurs plasma pertinentes : la concentration en fluor et le bombardement ionique. Le développement d'un modèle proposé dans la littérature a permis d'aboutir à une expression mathématique de la vitesse de gravure. Les prédictions de ce modèle ont été confrontées avec les résultats expérimentaux. Les surfaces de gravure ont ensuite été étudiées d'un point de vue morphologique, chimique, et électrique. La rugosité des surfaces avant et après gravure ont été comparées. Un procédé de contrôle de la pente de la gravure a été mis au point. Des analyses XPS ont permis de comparer les compositions chimiques de la surface, avant et après gravure, pour deux types de plasma (SF6 pur et SF6/02). Enfin, des condensateurs MOS ont permis de caractériser électriquement l’effet de la gravure sur les surfaces planes et sur les flancs. La simulation et la réalisation de diodes bipolaires protégées par MESA font l’objet du dernier chapitre. Les simulations électriques des composants ont été réalisées avec les logiciels TSUPREM4 et MEDICI de la société TMA. La profondeur et l'angle de la gravure ont ainsi pu être optimisés. Les tenues en tension observées sur les diodes ainsi réalisées et les simulations ont été comparées. L'origine des écarts a été discutée au moyen d'observations au MEB et de mesures électriques.