Dopage plan silicium dans l'arseniure de gallium

Silicon planar doping in gallium arsenide

• Auteur / Autrice : GILBERT GILLMANN
• Direction : Julien Bok
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Paris 6

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Sciences des materiaux, rheologie

Etude experimentale

Croissance cristalline

Epitaxie

Diffraction rx

Double diffraction

Dopage

Silicium|sec

Compose mineral

Semiconducteur

Condensation faisceau moleculaire

Contact ohmique

Transistor effet champ

Effet hall

Magnetoconductivite

Caracteristique capacite tension

Champ magnetique

Propriete magnetoelectrique

Gallium arseniure|sub

Experimental study

Crystal growth

Epitaxy

X ray diffraction

Double diffraction

Doping

Silicon

Inorganic compound

Semiconductor materials

Molecular beam condensation

Ohmic contact

Field effect transistor

Hall effect

Magnetoconductivity

Voltage capacity curve

Magnetic field

Magnetoelectric properties

Gallium arsenides

Résumé

Apres avoir rappele le principe de la technique de croissance d'epitaxie par jets moleculaires, presentation d'un ensemble de caracterisations magneto-electriques (effet hall a bas champ magnetique, magneto-resistance et effet a fort champ magnetique), mais aussi des resultats purement electriques de c(v). Analyses par spectroscopie de masse d'ions secondes et mesures de double diffraction x. Tres bon accord entre ces resultats experimentaux et les investigations theoriques sur ces structures. Application de la technique a l'elaboration de dopages intenses, de contact ohmiques non allies et de transistors a effet de champ dont le canal est constitue par un dopage plan. Les performances presentees montrent les potentialites des dopages plan dans l'application a des structures de plus en plus sophistiquees