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Chaymaa Haloui

est l'auteur d'une thèse

AlGaN/GaN III-V Epitaxie localisée Gravure HEMT Nitrure de gallium Normally-off P-GaN Photolithographie Procédé technologique Transistors à effet de champ à dopage modulé Épitaxie

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AlGaN/GaN III-V Epitaxie localisée Gravure HEMT Nitrure de gallium Normally-off P-GaN Photolithographie Procédé technologique Transistors à effet de champ à dopage modulé Épitaxie

Chaymaa Haloui a rédigé la thèse suivante :

Développement et réalisation technologique de composants HEMTs en Nitrure de Gallium (GaN) présentant la fonctionnalité " Normally-off "

par Chaymaa Haloui sous la direction de Frédéric Morancho , Karine Isoird et de Mathieu Gavelle . - Toulouse 3

MicroNano Systèmes

Soutenue le 21-07-2021

Thèse soutenue

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