Anjan Chakravorty
IdRefMots clés
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Transistors bipolaires à hétérojonctions
SiGe HBT
FMAX
Impédance de sortie
Effets haute fréquence
TCAD
HICUM
Impédance électrique
Circuits intégrés -- Conception assistée par ordinateur
Caractérisation haute fréquence
Fréquence d’oscillation maximale
HBT SiGe à nanofils
HBT SiGe SOI
Effet de polarisation du substrat
Fréquences des oscillations
Mésomérie
Bruit de substrat
Amplificateurs haute fréquence