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Florent Albany

est l'auteur d'une thèse

Co-Integration E-Mode Fiabilité Fluorures HEMT GaN Ions fluorures Nitrure de gallium Normally-Off Transistors à effet de champ à dopage modulé

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Co-Integration E-Mode Fiabilité Fluorures HEMT GaN Ions fluorures Nitrure de gallium Normally-Off Transistors à effet de champ à dopage modulé

Florent Albany a rédigé la thèse suivante :

Evaluation de la robustesse d'une technologie HEMT GaN normally-off à implantation d’ions fluorures co-intégrée avec une technologie HEMT GaN normally-on

par Florent Albany sous la direction de Nathalie Malbert et de Nathalie Labat . - Bordeaux

Electronique

Soutenue le 17-12-2021

Thèse soutenue

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