Malgré le potentiel des nanofils (NFs) semi-conducteurs pour des applications photovoltaïques, la performance des cellules solaires à NFs reste toujours en deçà de celle des dispositifs à base de couches bidimensionnelles. Pour augmenter l’efficacité de conversion, l’analyse de leurs propriétés jusqu’à l’échelle nanométrique est nécessaire afin de comprendre l’origine des pertes de conversion et trouver des solutions adéquates pour les éliminer. Aujourd’hui avec l’arrivée massive des nanotechnologies il est devenu possible de caractériser des nanofils uniques avec une résolution nanométrique. Dans ce travail de thèse nous analysons des nanofils de semiconducteur III/V avec la microscopie EBIC dans la perspective d’extraire puis d’optimiser leurs paramètres électriques et ainsi améliorer le rendement photovoltaïque. Tout d’abord, des NFs de GaAsP élaborés par épitaxie par jets moléculaires (EJM) ont été caractérisés par des mesures EBIC.Sur des nanofils individuels, mais aussi sur des ensembles de NFs. Les études EBIC nous ont permis tout d’abord de déterminer le type de dopage dans les NFs ainsi que de quantifier la concentration des électrons et des trous. En second lieu, la diffusion des atomes de Be et l’existence d’une coquille parasite autour du coeur des NFs ont été mis en évidence. La seconde partie du travail a été consacré à l’étude de NFs de nitrures crus par EJM assisté par plasma. Les NFs de GaN et d’InGaN ont été étudiés par EBIC, photo- et cathodo-luminescence. La corrélation entre les résultats de ces trois mesures a permis d’extraire la concentration du dopage Mg et Si dans les NFs. L’analyse des NFs de GaN/InGaN a montré que ces nanostructures sont prometteuses pour des applications photovoltaïques.