Contribution à l'analyse des effets de vieillissement de composants actifs et de circuits intégrés sous contraintes DC et RF en vue d'une approche prédictive

par Insaf Lahbib

Thèse de doctorat en Electronique, microelectronique, optique et lasers, optoelectronique microondes

Sous la direction de Patrick Martin.

Le président du jury était Richard Grisel.

Le jury était composé de Patrick Martin, Nacer Abouchi, Fabien Ndagijimana, Estelle Lauga-Larroze, Mohamed-Aziz Doukkali.

Les rapporteurs étaient Nacer Abouchi, Fabien Ndagijimana.


  • Résumé

    Les travaux de cette thèse portent sur la simulation de la dégradation des paramètres électriques des transistors MOS et bipolaires sous stress statiques et dynamiques. Cette étude a été menée à l’aide d’un outil de simulation de fiabilité développé en interne. Selon la technologie MOS ou bipolaire, les mécanismes étudiés ont été successivement : Hot Carrier Injection, Bias Temperature instability, Mixed Mode et Reverse base emitter bias. L’investigation a été aussi étendue au niveau circuit. Nous nous sommes ainsi intéressés à l’effet de la dégradation des transistors sur la fréquence d’un oscillateur en anneau et les performances RF d’un amplificateur faible bruit. Les circuits ont été soumis à des contraintes DC , AC et RF. La prédictibilité, établie de ces dégradations, a été validée par des essais de vieillissement expérimentaux sur des démonstrateurs encapsulés et montés sur PCB. Les résultats de ces études ont permis de valider la précision du simulateur et la méthode de calcul quasi-statique utilisée pour calculer les dégradations sous stress dynamiques. Ces travaux de recherche ont pour but d’inscrire cette approche prédictive dans un flot de conception de circuits afin d’assurer leur fiabilité.

  • Titre traduit

    Contribution to the analysis of aging effects of active components and integrated circuits under DC and RF constraints for a predictive approach


  • Résumé

    The work of this thesis focuses on the simulation of the electrical parameters degradation of MOS and bipolar transistors under static and dynamic stresses. This study was conducted using an in-house reliability simulation tool. According to the MOS or bipolar technology, the studied mechanisms were successively: Hot Carrier Injection, Bias Temperature instability, Mixed Mode and Reverse base emitter bias. The investigation was then extended to circuit-level. The effect of transistors degradation on a ring oscillator frequency and the RF performances of a low noise amplifier were investigated. The circuits were subjected to DC, AC and RF constraints. Predictability of these degradations has been validated by experimental aging tests on encapsulated and PCB-mounted demonstrators. The results of these studies proved the accuracy of the simulator and validated the quasi-static calculation method used to predict the degradation under dynamic stress. The goal of this research is to embed this predictive approach into a circuit design flow to ensure its reliability.


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  • Sous le titre : Contribution à l'analyse des effets de vieillissement de composants actifs et de circuits intégrés sous contraintes DC et RF en vue d'une approche prédictive
  • Détails : 1 vol. (187 p.)
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