Etude et réalisation d'un interrupteur de puissance monolithique bidirectionnel sur substrat SOI
Auteur / Autrice : | François Ihuel |
Direction : | Laurent Ventura, Nathalie Batut |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique |
Date : | Soutenance le 19/06/2012 |
Etablissement(s) : | Tours |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire) |
Partenaire(s) de recherche : | Equipe de recherche : Laboratoire GREMAN (Tours) |
Laboratoire : École polytechnique universitaire (Tours) | |
Jury : | Président / Présidente : Marc Lethiecq |
Examinateurs / Examinatrices : Jean-Christophe Crebier, Dominique Tournier, Benjamin Morillon | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Danielle Andreu, Abdelilah Slaoui |
Mots clés
Résumé
Ces travaux traitent de la réalisation d’un prototype d’interrupteur monolithique bidirectionnel à base de transistor bipolaire. A terme, l’objectif est de développer un interrupteur intelligent à faible perte, complètement intégrable dans l’habitat. Nous nous intéressons d’abord aux composants bidirectionnels existants. Nous présentons ensuite deux transistors bipolaires bidirectionnels. Le premier à base large, de fabrication aisée. Le second, symétrique, latéral, sur substrat SOI, à base fine, verticale, autoprotégée, très novateur. Nous les comparons et optons pour le transistor latéral à base fine, puis discutons les différentes étapes de sa fabrication et montrons qu’elle constitue un véritable challenge. Ensuite, nous détaillons une méthodologie analytique 1D permettant de déterminer les éléments clefs de fabrication de la partie active du transistor. L’étude est validée par des simulations 2D numériques par éléments finis. Nous continuons par une réflexion sur la périphérie du composant et sa métallisation. Nous détaillons les variantes de réalisation envisagées et montrons que ce composant est robuste vis-à-vis des désalignements entre les masques lors de la fabrication. Finalement, nous caractérisons les transistors fabriqués. Initialement le dispositif est parasité par des effets de ségrégation des dopants aux interfaces SiO2 / Si. Nous expliquons qu’il est possible de contrecarrer ces effets, pour finalement valider le concept de transistor bipolaire symétrique latéral sur substrat SOI, à base fine, verticale, autoprotégée.