Effet du dopage sur les propriétés de transport des couches de silicium polycristallin : application à la réalisation de transistors à base de ces couches
Auteur / Autrice : | Meriem Zaghdoudi |
Direction : | Tayeb Mohammed-Brahim, Mohamed Fathallah, Mehdi Abdelkrim |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Électronique |
Date : | Soutenance en 2009 |
Etablissement(s) : | Rennes 1 |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Mathématiques, télécommunications, informatique, signal, systèmes, électronique (Rennes) |
Partenaire(s) de recherche : | autre partenaire : Université européenne de Bretagne (2007-2016) |
Mots clés
Résumé
Ce travail de thèse est consacré à la fabrication de transistors en couches minces (TCM) de silicium polycristallin (Si-poly), déposé amorphe par LPCVD à 550° C et cristallisé en phase solide à 600° C sous la couche active qui est traditionnellement du Si-poly non-dopé. La première partie est réservée à l'étude des propriétés physiques, optiques et électriques du Si-poly très faiblement dopé en phosphore ou en bore, in-situ pendant le dépôt. L'ensemble des caractérisations physiques (Microscope Eléctronique à Balayage), optiques (transmission optique, photodéflexion thermique (PDS), photluminescence à très basse température) et électriques (conductivité, effet Hall) montrent une amélioration des propriétés du matériau avec le dopage jusqu'à un optimum au delà duquel les propriétés se détériorent de nouveau. La deuxième partie traite de la réalisation de TCMs à couche active faiblement dopée et à canal N et P. Les transistors de type N dont le rapport W/L = 80µm/40m présentent une mobilité d'effet de champ de 160 cm²/V. S et une tension de seuil 1,2 V pour une épaisseur d'oxyde de grille de 70 nm. Une dispersion de moins de 6% sur la valeur de la mobilité est obtenue sur une surface de 5 cm x 5 cm. Ces valeurs présentent une grande stabilité sous l'effet de l'application d'un stress de tension de grille positif ou négatif.