Maitrise des procédés de croissance épitaxiale du silicium monocristallin et polycristallin pour des applications micro-systèmes

par Olivier de Sagazan

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Olivier Bonnaud.

Soutenue en 2005

à Rennes 1 .


  • Résumé

    Cette étude a porté sur l’optimisation de la croissance épitaxiale du silicium poly/mono cristallin en couche épaisse pour la réalisation de micro-systèmes. Dans un premier temps l’étude a consisté à adapter le procédé EPIPOLY (Epitaxial Polysilicon) à nos réacteurs. Dans l’optique de réaliser des micro-systèmes à couches épaisses sans utiliser de gravure profonde, une méthode de croissance sélective du polysilicium etd’épitaxie sélective a été développée. Afin de valider les propriétés de nos couches épaisses et d’apprécier l��intérêt de la croissance sélective, plusieurs démonstrateurs tel des actionneurs thermiques ou des résonateurs électrostatiques ont été réalisés. Ceux-ci ont validé les bonnes caractéristiques mécaniques, thermiques et électriques de nos couches Enfin l’étude des mécanismes de l’épitaxie sélective du silicium a permis de développer une méthode pour réaliser des canaux enterrés dans le silicium, application très utile dans le refroidissement des circuits intégrés

  • Titre traduit

    Process control of epitaxial growth of single-crystal and polycristalline silicon for microsystems applications


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Informations

  • Détails : 1 vol. (163 f.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr.76 réf.

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université de Rennes 1. Service commun de la documentation. BU Beaulieu.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TA RENNES 2005/46
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