Simulation, caractérisation et optimisation de transistor LDMOS sur SOI en technologie BCD (Bipolaire-CMOS-DMOS)

par Hui Xu

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Emmanuel Dubois.

Soutenue en 2005

à Lille 1 .


  • Résumé

    Cette thèse traite de la simulation, de la caractérisation et de l'optimisation d'une architecture de transistor de puissance LDMOS (Lateral Double Diffused MOS) sur substrat SOI (Silicon-On-Isolator) en technologie BCD (Bipolar-CMOS-DMOS). Après la caractérisation des LDMOS de la tension de claquage (BVDSS) de 36. 9 à 68. 8 V et résistance à l'état passant (Ron) de 30. 8 à 67. 2 m[ohm]mm2, la simulation bidimensionnelle de procédé et de dispositif a été utilisée de manière exhaustive afin de calibrer l'approche simulation sur la base de résultats expérimentaux. Basé sur ces simulations de procédé et de dispositif, la dose d'implantation. De la zone de dérive, l'épaisseur du film SOI et de l'oxyde enterré (BOX) du transistor LDMOS ont été optimisées afin d'obtenir la meilleur compromis (BVDSS/ Ron). Enfin, une variante du procédé nominal ayant une plus fine épaisseur de l'oxyde de grille est étudiée en utilisant un tilt de 45° ou 60° pour optimiser l'implantation du canal afin d'ajuster la tension de seuil.

  • Titre traduit

    Simulation, caracterization and optimization of LDMOS transistors in a SOI BCD technology (Bipolar-CMOS-Dmos)


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Informations

  • Détails : 1 vol. (V-160 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la suite de chaque chapitre

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Lilliad Learning Center Innovation (Villeneuve d'Ascq, Nord).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-2005-57
  • Bibliothèque : Lilliad Learning Center Innovation (Villeneuve d'Ascq, Nord).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-2005-58
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