Modeling, electrical characterization and scaling issues of discrete-trap non-volatile memories.

• Auteur / Autrice : Luca Vito Bruno Perniola
• Direction : Gérard Ghibaudo, Giuseppe Iannaccone
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Micro et nanoélectronique
• Date : Soutenance en 2005
• Etablissement(s) : Grenoble INPG en cotutelle avec Università degli studi (Pise, Italie)

Résumé

La thèse de doctorat, effectuée en cotutelle entre l'Institut National Polytechnique de Grenoble et l'Université de Pise, a eu pour objectif la caractérisation et la modélisation des mémoires non-volatile à sites de piégeage discrets à base de nanocristaux ou de type SONOS ou NROM. On a pu développer une analyse commune du comportement électrique pour ces différentes architectures, en particulier en ce qui concerne la distribution statistique de la fenêtre de programmation, du fonctionnement à deux bits ("dual-bit ") et de la rétention des données sous différentes conditions expérimentales (chargement initial ou température). Le contenu de la thèse comporte une partie expérimentale relatant les résultats de la caractérisation électrique des mémoires étudiées et une partie théorique constituée par les résultats des simulations analytique et numérique développées pour les prévisions de la miniaturisation de ce type des mémoires.

The PhD thesis, made in collaboration between the Institut National Polytechnique de Grenoble and the University of Pisa, had the final objective to characterise and model the special effects of discrete-trap non-volatile memories as nanocrystal, SONOS or NROM memories. We could develop a common analysis of some electrical features of these different architectures, like the programming window distribution, the "dual-bit" behavior and the data retention under different experimental conditions (initial write or test's temperature). The content of the PhD thesis is made of a part constituted by experimental results of electrical characterization of memories is presented, and another part constituted by the modelling results from analytical and numerical simulations, developed for the investigation of the scaling issues related to these types of memories.