Élaboration et caractérisation de films minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain obtenus par voie sol-gel : potentialité pour la réalisation d'électrodes sur silicium poreux

• Auteur / Autrice : Kaïs Daoudi
• Direction : Marie-Geneviève Blanchin, Jean-Alain Roger, Meherzi Oueslati
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique. Optoélectronique
• Date : Soutenance en 2003
• Etablissement(s) : Lyon 1 en cotutelle avec École nationale d'ingénieurs de Tunis (Tunisie)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Silicium poreux

Couches minces

Sol-gel, Procédé

Résumé

L'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) présente une bonne transparence dans le visible et une importante conductivité électrique. Ce travail est consacré à l'étude des performances de films minces multicouches d'ITO obtenus par la voie sol-gel. La microscopie électronique en transmission (MET) a permis d'analyser morphologie et structure, et a mis en évidence pour la première fois la structure complexe de tels films sol-gel. La MET et l'analyse par rétrodiffusion de particules α ont précisé la corrélation entre la densité des multicouches, l'apparition de croûtes intermédiaires et la conductivité électrique résultante. Ce travail valide l'utilisation du recuit rapide pour la densification des films sol-gel en comparaison avec un traitement classique. Nous démontrons la potentialité de la voie sol-gel pour la croissnce d'électrodes d'ITO sur silicium poreux (SP). Les structures ITO/SP, pour lesquelles la photoluminescence du SP est partiellement préservée, ont été étudiées en terme de diode Schottky