Contribution à la modélisation électro-thermique de la cellule de commutation MOSFET-Diode
Auteur / Autrice : | Hatem Garrab |
Direction : | Hervé Morel |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Génie Electrique |
Date : | Soutenance en 2003 |
Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : CEGELY - Centre de génie électrique de Lyon (Rhône1992-2007) |
Mots clés
Résumé
La simulation des convertisseurs de puissance et les composants de puissance est un chalenge important des prochaines années. En effet, la réalisation de prototype est de plus en plus longue et coûteuse. Aussi le prototypage virtuel, c'est-à-dire la simulation précise des convertisseurs est-elle fondamentale. Ce travail a analysé les possibilités de la simulation par éléments finis d'une cellule de commutation MOS - Diode. En particulier la modélisation électrothermique de la diode a été réalisée. De plus, une procédure originale d'extraction des paramètres technologiques a permis d'obtenir d'excellents résultats de comparaisons simultation/expérience y compris pour les phases de commutations rapides. Pour atteindre cette objectif, une analyse et une modélisation précise de câblage a été entreprise. Enfin, une analyse des couplages électrothermiques a permis de développer un modèle à base de graphes de liens capable de prendre en compte les gradients de température qui existent notamment dans un autoéchauffement.