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Développement et caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe pour les circuits radiofréquences
par Sébastien Jouan
Thèse de doctorat en Electronique, microélectronique
Sous la direction de Gilbert Vincent et de Alain Chantre.
Soutenue en 2001
à Grenoble 1 , en partenariat avec France Télécom R&D (entreprise) et de STMicroelectronics (Crolles, Isère) (entreprise) .
Le jury était composé de Jacques Gautier, Marcel Roche.
Les rapporteurs étaient Peter Ashburn, Jean-Pierre Chante.
- Transistor bipolaire
- Technologie BiCMOS
- Radiofréquence
- Emetteur polysilicium
- Carbone
- Bipolar transistor
- BiCMOS technology
- Radiofrequency
- Polysilicon emitter
- Carbon
- Transistors bipolaires
- MOS complémentaires
- BiCMOS
- Transistors bipolaires à hétérojonctions
- Silicium -- Substrats
mots clés
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Titre traduit
Development and characterization of heterojunctions Si/SiGe bipolar transistor for radiofrequency circuits
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