Développement et caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe pour les circuits radiofréquences

par Sébastien Jouan

Thèse de doctorat en Electronique, microélectronique

Sous la direction de Gilbert Vincent et de Alain Chantre.

Soutenue en 2001

à l'Université Joseph Fourier (Grenoble) , en partenariat avec France Télécom R&D (entreprise) et de STMicroelectronics (Crolles, Isère) (entreprise) .

Le jury était composé de Jacques Gautier, Marcel Roche.

Les rapporteurs étaient Peter Ashburn, Jean-Pierre Chante.

mots clés

• Transistor bipolaire
• Technologie BiCMOS
• Radiofréquence
• Emetteur polysilicium
• Carbone
• Bipolar transistor
• BiCMOS technology
• Radiofrequency
• Polysilicon emitter
• Carbon
• Transistors bipolaires
• MOS complémentaires
• BiCMOS
• Transistors bipolaires à hétérojonctions
• Silicium -- Substrats

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Titre traduit

Development and characterization of heterojunctions Si/SiGe bipolar transistor for radiofrequency circuits

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