Relations entre propriétés optiques et structures électroniques dans de nouveaux matériaux des familles Ln-M-S-X (Ln=La, Ce, M=P, Si, Ge, Sb et X=Cl, Br, I)
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Auteur / Autrice : | Delphine Gout |
Direction : | Raymond Brec |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences des matériaux. Physicochimie du solide |
Date : | Soutenance en 2000 |
Etablissement(s) : | Nantes |
Mots clés
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Résumé
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Ce mémoire porte sur l'étude de plusieurs familles ternaires et quaternaires contenant La et Ce et appartenant aux systèmes Ln-M-Q-X, Ln-P-Q et Ln-Sb-S-Br (Ln=La, Ce, M=Si, Ge, X=Cl, Br, I). Ces composés possèdent une chimie structurale riche et de nombreuses propriétés physiques intéressantes du fait du degré élevé de coordination des ions LnIII et de la présence d'orbitales 4f très localisées. Il est possible de modifier par effet inductif la covalence de la liaison Ce-S, et donc le gap 4f-5d, en substituant les différents éléments constituants ces matériaux.