Le moteur de recherche
des thèses françaises
'%3e%3cpath%20style='fill:%2300a0dc;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.144606;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20d='M41.8%20100.088H52.28c.46%200%20.831.421.831.945v10.25c0%20.524-.37.946-.831.946H41.8c-.46%200-.831-.422-.831-.945v-10.251c0-.524.37-.945.831-.945z'/%3e%3cpath%20d='m47.072%20102.02-4.87%202.656%204.87%202.657%203.985-2.174v3.06h.885v-3.543m-7.969%201.851v1.771l3.1%201.691%203.098-1.691v-1.77l-3.099%201.69z'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke-width:.442726'/%3e%3ccircle%20style='fill:%23009f1d;fill-opacity:1;stroke:%23fff;stroke-width:.379704;stroke-linecap:round;stroke-linejoin:round;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1;stop-color:%23000'%20cx='54.151'%20cy='101.224'%20r='3.451'/%3e%3cpath%20d='m55.669%2099.387.659.664-3.075%203.104-1.634-1.649.66-.663.974.979%202.416-2.435'%20style='fill:%23fff;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:.30061;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1'/%3e%3c/g%3e%3c/svg%3e)
Techniques alternatives de cristallogenèse du carbure de silicium
| Auteur / Autrice : | Didier Chaussende |
| Direction : | Yves Monteil |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Sciences. Chimie inorganique |
| Date : | Soutenance en 2000 |
| Etablissement(s) : | Lyon 1 |
| Jury : | Examinateurs / Examinatrices : Yves Monteil |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Les propriétés du SiC en font un matériau stratégique pour la microélectronique. Cependant, les difficultés liées à l'obtention de monocristaux, et notamment les hautes températures requises, limitent son développement. Face aux techniques existantes (CVD, Sublimation, HTCVD) nous proposons trois nouvelles approches afin d'abaisser la température d'élaboration : le transport chimique en phase vapeur (CVT), l'épitaxie en phase liquide à basse température (LTLPE) et la croissance par un mécanisme Vapeur-Liquide-Solide (VLS). Après une simulation thermodynamique du procédé CVT, nous présentons les essais de transport par HBr. Pour la LTLPE, l'étude approfondie des conditions thermodynamiques et du mécanisme de germination et croissance spontanée de SiC dans un alliage Al-Si sont présentés. Dans le cas de la technique VLS, l'élaboration de couches monocristallines épaisses est étudiée dans différentes configurations en utilisant le silicium comme catalyseur liquide.