Caractérisation et modélisation des éléments actifs de technologies CMOS sur silicium sur isolant pour des applications à haute température (125-350 degrés celsius)

Characterisation and modelling of the active elements of two silicon-on-insulator CMOS technologies for high temperature applications (125-350 °C)

• Auteur / Autrice : Emmanuel Augendre
• Direction : Sorin Cristoloveanu
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Microélectronique
• Date : Soutenance en 1999
• Etablissement(s) : Grenoble INPG
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....) - Laboratoire de physique des composants semiconducteurs (Grenoble1969-2001)

Mots clés

Mots clés libres

Sciences et techniques

Electronique

Conception circuit

Technologie silicium sur isolant

Technologie mos complementaire

Haute temperature

Reponse transitoire

Echauffement

Modelisation

Simulation numerique

Substrat flottant

Résumé

L'utilisation de circuits electroniques a des temperatures allant de 125 a 350 degres celsius est de plus en plus souhaitee dans des domaines comme l'automobile, l'avionique et la recherche petroliere. Dans la famille silicium, les composants cmos realises en silicium sur isolant (soi) sont les plus aptes a repondre a ces besoins. La these contribue a la disponibilite d'outils de simulation de circuits a haute temperature. Elle donne d'abord une synthese des proprietes du silicium et de leur variation en temperature. Est ensuite proposee l'adaptation d'un modele compact de transistor mos a la gamme 20-350 degres celsius. La simulation d'oscillateurs en anneau valide ce modele. Les deux derniers chapitres sont consacres a la modelisation des phenomenes propres au soi (substrat flottant, regimes transitoires, transistor bipolaire parasite et auto-echauffement).