Contribution à la caractérisation et à la modélisation des capacités en technologie CMOS

par Alain Toulouse

Thèse de doctorat en Électronique, optronique et systèmes

Sous la direction de Christian Landrault.

Soutenue en 1998

à Montpellier 2 .


  • Résumé

    La reduction des dimensions elementaires dans les circuits integres augmente de maniere inexorable l'influence des interconnexions dans l'estimation des performances d'un systeme integre. Le travail presente dans cette these s'inclue dans un effort international pour ameliorer la precision de l'extraction de parasites a partir d'un dessin de masques. Nous avons tout d'abord developpe un dispositif de mesure integre sur silicium qui permet de mesurer avec precision des capacites constantes avec un cout en surface tres reduit par rapport aux methodes de mesures directes. Nous pouvons ainsi mesurer des capacites de l'ordre de la centaine d'atto-farad avec une incertitude de l'ordre de quelques %. A partir des resultats de mesure, nous avons pu mettre en evidence les limites des modeles d'extraction classiques et proposer un modele original et generique. Ce modele necessite une simple etape de calibration afin de determiner les parametres relatifs a une technologie donnee sans qu'il soit necessaire de connaitre les dimensions verticales de la technologie. Les resultats obtenus en terme de precision du modele sont tres encourageant pour des technologies submicroniques.

  • Titre traduit

    Contribution to the characterization and modelling of capacitances in cmos technology


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Informations

  • Détails : 143 p
  • Annexes : Bibliogr.: p. 133-138

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