Etude du comportement électrochimique de semiconducteurs III-V en présence d'hétéropolyanions

Electrochemical behaviour of semiconductors III-V in contact with heteropolyanions

• Auteur / Autrice : Aude Rothschild
• Direction : Arnaud Etcheberry
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Chimie inorganique des matériaux
• Date : Soutenance en 1997
• Etablissement(s) : Versailles-St Quentin en Yvelines

Mots clés

Mots clés contrôlés

Hydrogène

Transfert de charge

Composés semiconducteurs

Résumé

Les hétéropolyanions constituent des systèmes multiélectroniques fort intéressants pour la modification d'électrodes vis-28à-vis du dégagement d'hydrogène. Comme sur les électrodes métalliques, la modification de deux semi-conducteurs iii-v (inp et gaas) s'avère également possible et conduit à l'abaissement de la surtension du dégagement d'hydrogène d'environ 500 mv. Néanmoins, a l'inverse des électrodes métalliques qui nécessite une polarisation vers les potentiels très négatifs, la modification de gaas peut s'effectuer par simple trempage au potentiel de repos. Au contraire, inp, qui ne peut se modifier que par la méthode de polarisation rejoint le comportement électrochimique des électrodes métalliques. Cette opposition entre deux matériaux en apparence semblable est directement liée à la position relative des systèmes redox de l'hétéropolyanion vis-à-vis de chacune des bandes du semi-conducteur. L'hétéropolyanion de Keggin. . .