Modélisation des transistors Mosfets pour les applications RF de puissance

A large-signal model for rf power mosfets

• Auteur / Autrice : Juan-Mari Collantes
• Direction : Raymond Quéré, J.-P. VILLOTTE
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Communications optiques et micro-ondes
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Limoges
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Splines, Théorie des

Circuits électriques non linéaires

Radiofréquences

Transistors MOSFET

Résumé

L'objectif de ce travail a ete le developpement d'un modele electrique non lineaire des transistors mosfet pour des applications de puissance dans le domaine des radiofrequences. Notre demarche de modelisation est fondee sur une caracterisation precise et coherente du composant. Ainsi, cette caracterisation est constituee de mesures convectives i-v et de mesures de parametres s, effectuees sous-conditions pulsees et comprenant tout le domaine de fonctionnement. La complexite du fonctionnement large-signal du mosfet est prise en compte par l'utilisation de quatre non linearites (une source de courant et trois capacites intrinseques) dependant des deux tensions de commande. La modelisation de ces non linearites est realisee de maniere individuelle par une representation tabulaire a l'aide des b-splines bicubiques. Une validation exhaustive du modele non lineaire est developpee pour un transistor ldmos. Cette validation est fondee sur la caracterisation experimentale fort-signal du composant a l'aide d'un systeme de mesure du type load-pull. Elle comprend toutes les conditions de fonctionnement correspondant aux applications courantes du transistor