Caractérisation électrique du matériau AlInAs élaboré par épitaxie par jets moléculaires à basse température

Electrical characterisation of alinas grown by molecular beam epitaxy at low temperature

• Auteur / Autrice : Charles Simon Meva'a
• Direction : Jacques Tardy
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences. Dispositifs de l'électronique intégrée
• Date : Soutenance en 1996
• Etablissement(s) : Ecully, Ecole centrale de Lyon
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique, optoélectronique et microsystèmes (Ecully, Rhône)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Diodes à barrière de Schottky

Impédance électrique

Propriétés électriques

Résumé

L'objectif de ce travail est l'etude des proprietes electriques du materiau alinas elabore par epitaxie par jets moleculaires a basse temperature de croissance (< 500c). Il s'agit en particulier d'identifier les niveaux de defauts presents dans le materiau, de determiner la nature et l'origine de ces defauts, ainsi que leur influence sur le comportement electrique d'un composant simple, la diode schottky/alinas. Pour caracteriser le materiau, nous avons utilise trois methodes de mesures: les mesures de courant en fonction de la temperature, les mesures de bruit basse frequence (bbf), et les mesures de spectroscopie d'admittance (sa), appliquees aux diodes schottky et aux structures tlm (transmission line model). Nous avons identifie 5 niveaux de defauts dans le materiau, dont deux de type accepteurs compensateurs, l2 (e#c - 0,4 ev) et h2 (e#v + 0,48 ev), responsables du caractere semi-isolant observe a basse temperature de croissance. Le niveau de defauts dominant est le niveau donneur l3 (e#c - 0,6 ev). Nous avons mis en evidence dans les diodes schottky, la presence d'un courant tunnel assiste par les defauts et son influence sur la hauteur de barriere schottky. Nous avons demontre que le bruit en 1/f provient des fluctuations de la hauteur de la barriere schottky, dues aux fluctuations du taux d'occupation des defauts