Etude des mecanismes de decapage des semi-conducteurs iii-v

Study of iii-v semiconductors etching mechanisms

• Auteur / Autrice : DANIELLE LE ROY
• Direction : Arnaud Etcheberry
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1994
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

Le decapage des materiaux semi-conducteurs est le probleme central dans l'ensemble des procedures de fabrication des composants (opto-)electroniques. Ce travail a apporte des resultats nouveaux concernant le mecanisme de dissolution de certains materiaux (gaas, gap, inp,. . . ) en presence d'agents oxydants tels que ce#4#+, fe(cn)#6#3#, h#2o#2, i#2, br#2,. . . Les vitesses de dissolution sont proches en general, excepte en presence d'eau oxygenee. Dans ce cas, la vitesse de dissolution est grande pour gaas, gainas, voir gasb et faible pour gap et inp. La vitesse est du premier ordre en fonction de la concentration d'agent oxydant pour les composes arsenies et d'ordre 0. 5 pour les especes phosphorees. Par contre les vitesses d'attaque de inp, gap et gaas sont comparables en presence de cerium, ferricyanure, brome et iode et sont du premier ordre. L'effet d'anion montre une influence particuliere du phosphore. L'analyse des mecanismes de reduction montre que inp et gap ont des comportements semblables et opposes a gaas. Cette approche multimateriaux nous a conduit a elaborer un modele reactionnel plus developpe que celui donne par notten et coll. A propos de l'eau oxygenee et mettant en evidence certaines especes intermediaires impliquees dans le processus de dissolution