Rugosite de surface de semiconducteurs iii-v. De la rugosite naturelle a la croissance auto-organisee

par LAURENT LEPRINCE

Thèse de doctorat en Sciences appliquées. Physique

Sous la direction de FRANCOISE HOUZAY.

Soutenue en 1993

à Paris 11 .

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  • Résumé

    L'apparition de la rugosite a une surface en cours de croissance peut etre mise a profit pour realiser des motifs nanometriques repondant aux besoins des nouveaux composants microoptoelectroniques. La difficulte consiste alors a mettre en jeu les phenomenes capables de creer ces motifs et de les organiser automatiquement. Nous en avons etudie ici deux qui fournissent des motifs a deux echelles differentes, l'inferieure a 10 a pour les marches atomiques des surfaces vicinales de gaas, et de l'ordre de 100 a pour les ilots de croissance contrainte d'inas sur gaas. Pour les marches, l'etude par diffraction d'electrons a permis de mettre en evidence l'existence d'une frustration mutuelle entre les marches et la reconstruction des terrasses. Le choix d'une largeur de terrasse capable d'accueillir un nombre entier de mailles reconstruites minimise cette frustration et en consequence optimise a la fois l'ordre sur les terrasses et la periodicite du reseau de marches. Pour les ilots, l'etude par microscopie a force atomique et diffraction d'electrons a montre qu'ils forment des boites quantiques avec une statistique de taille remarquablement faible (inferieure a 10%) et que leur arrangement est quasi hexagonal. Comme la dimension de chaque ilot est dictee par son environnement proche, la localisation des centres de nucleation permet d'agir a la fois sur les dimensions et la repartition des motifs

  • Titre traduit

    Surface roughness of iii-v compounds. From natural roughness to self-organised growth


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Informations

  • Détails : 152 P.
  • Annexes : 91 REF.

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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH2014-011401
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