Simulation microscopique et technologie de réalisation du transistor à effet de champ à base de GaAs

par Isabelle Valin

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Monique Constant.

Soutenue le 26-08-2023

à Lille 1 .


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  • Détails : 1 vol. (138 f.)
  • Annexes : Bibliogr. à la fin de chaque chapitres

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Lilliad Learning Center Innovation (Villeneuve d'Ascq, Nord).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1993-317

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  • Accessible pour le PEB
  • Cote : MF-1993-VAL
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