Caractérisation par spectrométrie Raman de matériaux iii-v : application à l'étude de structures photoconductrices en GaAs et de transistors AaAlAs/GaAs

par Abdellatif Bellarbi

Thèse de doctorat en Electronique

Sous la direction de Monique Constant.

Soutenue en 1993

à Lille 1 .

mots clés

• Spectroscopie Raman
• Transistors
• Semiconducteurs
• Épitaxie
• Arséniure de gallium
• Photoconductivité

Résumé

L'objectif principal de ce travail est la caractérisation par spectrométrie Raman des effets engendrés, sur des épitaxies de matériaux semi-conducteurs iii-v par les processus technologies mis en oeuvre lors de la fabrication des composants microélectroniques. Dans une première phase, nous avons étudié les propriétés structurales des matériaux gaas et ga1xalxas en fonction du dopage n et de la concentration x en aluminium. Les résultats obtenus ont permis d'établir un catalogue de spectres de référence de matériaux et d'épitaxies non processees. Ensuite, nous nous sommes intéressés à l'étude des effets des processus technologiques les plus utilisés. Une analyse quantitative nous a permis de contrôler l'uniformité d'un recess, d'étudier les effets d'une gravure chimique ou plasma sur ces matériaux et aussi d'étudier les effets d'un dépôt et d'une gravure de diélectrique sur du matériau gaas dope n. Enfin, l'originalité essentielle de ce travail réside dans l'utilisation de la microanalyse Raman comme technique de caractérisation non destructive des propriétés structurales et de surface de photoconducteurs planaires en gaas et de transistors tegfet. Plus particulièrement, nous avons, à partir des spectres Raman, mis en évidence l'évolution de la densité des porteurs dans le transistor en fonctionnement.

Titre traduit

Raman characterization of gaas planar photoconductors and gaalas/gaas hemt transistors

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