Caractérisation électrique d'hétérostructures III-V : étude de l'influence de défauts d'irradiation et d'interface

Electrical characterization of 3-5 heterostructures, influence of irradiation induced defects and interface defects

• Auteur / Autrice : Jean-Marc Rogez
• Direction : Didier Stiévenard
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences des matériaux
• Date : Soutenance en 1993
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Effet thermoïonique

Hétérostructures

Semiconducteurs -- Défauts

Résumé

L'objectif de ce travail est de déterminer avec une bonne précision les discontinuités de bande d'hétérostructures 3-5 par des techniques électriques et d'étudier l'influence des défauts de volume ou d'interface sur les propriétés électriques de ces hétérostructures, notamment sur l'énergie d'activation associée à l'effet thermoïonique. Une modification des caractéristiques électriques, due à des défauts, doit être prise en compte pour déterminer précisément une discontinuité de bande. Nous déterminons, à l'aide de mesures du courant thermoïonique et de la capacité, les discontinuités de bande de conduction de structures s. I. S. Comportant des contacts ohmiques et basées sur des hétérostructures 3-5 de type pseudomorphique et métamorphique. Nous avons développé un modèle prenant en compte la position du niveau de fermi en fonction du dopage des matériaux, la quantification dans un puits, la formation d'une zone d'accumulation ou de déplétion, et simulant, par intégration de l'équation de poisson, le comportement électrique des structures en fonction de la température et de la tension appliquée.