Caractérisation électrique d'hétérostructures III-V : étude de l'influence de défauts d'irradiation et d'interface

par Jean-Marc Rogez

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Didier Stiévenard.

Soutenue en 1993

à Lille 1 .


  • Résumé

    L'objectif de ce travail est de déterminer avec une bonne précision les discontinuités de bande d'hétérostructures 3-5 par des techniques électriques et d'étudier l'influence des défauts de volume ou d'interface sur les propriétés électriques de ces hétérostructures, notamment sur l'énergie d'activation associée à l'effet thermoïonique. Une modification des caractéristiques électriques, due à des défauts, doit être prise en compte pour déterminer précisément une discontinuité de bande. Nous déterminons, à l'aide de mesures du courant thermoïonique et de la capacité, les discontinuités de bande de conduction de structures s. I. S. Comportant des contacts ohmiques et basées sur des hétérostructures 3-5 de type pseudomorphique et métamorphique. Nous avons développé un modèle prenant en compte la position du niveau de fermi en fonction du dopage des matériaux, la quantification dans un puits, la formation d'une zone d'accumulation ou de déplétion, et simulant, par intégration de l'équation de poisson, le comportement électrique des structures en fonction de la température et de la tension appliquée.

  • Titre traduit

    Electrical characterization of 3-5 heterostructures, influence of irradiation induced defects and interface defects


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Par ailleurs, les structures s. I. S. Pseudomorphiques étudiées sont soumises à une irradiation électronique, afin d'introduire de façon contrôlée des défauts de volume connus. Les caractéristiques électriques sont alors considérablement dégradées. La barrière apparente vue par un électron est modifiée et l'on observe une variation non linéaire de la capacité en fonction de la température. Mais un recuit thermique permet de retrouver les caractéristiques initiales. D'autre part, nous étudions les caractéristiques électriques de deux hétérostructures gaas/gaalas/gaas dont l'une comporte un plan de dopage sur une interface, ce qui est un moyen d'introduire des défauts d'interface de façon contrôlée. Nous déterminons les densités de charges d'interface à l'aide de mesures du courant et de la capacité. L'effet, pour cette simple barrière, du plan de dopage sur l'énergie d'activation paraît faible

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Informations

  • Détails : 1 vol. (208 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 197-208

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  • Bibliothèque : Lilliad Learning Center Innovation (Villeneuve d'Ascq, Nord).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-1993-211
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