Croissance par épitaxie par jets moléculaires de structures contraintes GaInAs sur substrat GaAs : réalisation et caractérisation de HEMT's pseudomorphiques GaAlAs/GaInAs/GaAs

Molecular beam epitaxy of InGaAs strained layers on GaAs substrate: realization and characterization of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT's

• Auteur / Autrice : Yvon Cordier
• Direction : Alain Cappy
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1992
• Etablissement(s) : Lille 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Épitaxie par faisceaux moléculaires

Semiconducteurs

Résumé

Ce travail concerne la croissance de couches de matériaux semiconducteurs III-V et la réalisation de structures pour composants HEMT's pseudomorphiques sur substrat GaAs. Ces structures font appel aux composés GaAs/GaAlAs dopés Silicium et GaInAs contraint élaborés par épitaxie par jets moléculaires. L'influence des conditions de croissance et de la contrainte pour GaInAs sur les caractéristiques des matériaux épitaxiés est étudiée à l'aide de l'analyse RHEED in Situ mais également par diffraction des rayons X sur des superréseaux contraints, par photoluminescence, par microscopie électronique en transmission ainsi que par es mesures d'effet Hall sur des structures pour composants HEMT's. La réalisation de transistors à grilles longues est ensuite présentée ainsi qu'une analyse des profils de commande de charges et de mobilités électroniques. Enfin, les caractéristiques électriques en régimes statiques et hyperfréquences de transistors à grilles submicroniques sont corrélées avec la qualité des matériaux étudiés plus haut