Traitement thermique submicronique par couplage micro-ondes/faisceau d'électrons appliqué au silicium

Submicronic thermal process by coupling microwave/electron beam applied to silicon

• Auteur / Autrice : Éric Guignard
• Direction : Henri-Claude Gay
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1991
• Etablissement(s) : Toulouse, INPT

Mots clés

Mots clés contrôlés

Équation de la chaleur

Hill, Équation de

Micro-ondes

Dispositifs à micro-ondes

Semiconducteurs

Silicium

Traitement thermique

Métallurgie

Résumé

Dans ce memoire, nous avons presente une nouvelle technique de traitement thermique rapide applique au silicium. L'originalite de notre procede est de permettre le traitement de zones aux dimensions submicroniques indispensable aux nouvelles et aux futures technologies (u. L. S. I. , g. L. S. I. , etc. . . ). Notre technique repose sur le couplage hyperfrequence/faisceau d'electrons au sein d'un semi-conducteur ou le faisceau electronique joue le role de marqueur afin de selectionner le volume dans lequel l'energie micro-onde va etre absorbee et elevee la temperature. Nous avons effectivement demontre que la densite de puissance dissipee par l'onde hyperfrequence peut se localiser dans le volume de generation des paires electron-trou creees par le faisceau electronique, les dimensions de ce volume etant controlees par l'energie des electrons du faisceau. Nous avons constate que l'elevation en temperature de la zone perturbee depend surtout de la densite de courant du faisceau d'electrons, de la temperature de pre-chauffage du semi-conducteur et de la concentration des atomes dopants. Enfin, nous avons realise un dispositif experimental qui nous a permis de traiter thermiquement des surfaces restreintes d'echantillons de silicium dopes p jusqu'a la temperature de fusion