Effets de canal court dans les transistors fet's gaas. Etude experimentale, role d'une couche p implantee et contribution a la modelisation

Short channel effects in mesfet's gaas. Experimental investigation, role of an implanted p-layer and contribution to the modelling

• Auteur / Autrice : JINGYAN ZHANG
• Direction : Serge Gourrier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Sciences appliquées
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Paris 11

Résumé

L'amelioration des performances frequencielles et l'augmentation de la vitesse des circuits integres gaas necessitent une reduction de la longueur de grille et de la resistance d'acces des mesfet's gaas. La reduction de la longueur de grille est accompagnee d'effets parasites importants: effets de canal court, reponse basse frequence de l'interface couche active-substrat. Notre etude porte sur la reduction de ces effets. Deux solutions sont proposees: l'une consiste a implanter une couche p sous le canal conducteur n afin de creer une jonction p/n s'opposant a l'injection des porteurs dans le substrat qui est la cause principale de ces effets. L'autre, inspiree de la technologie mosfet, consiste a implanter des regions intermediaires (n) entre les regions n#+ et la couche active n, realisant un compromis entre les effets de canal court et la resistance d'acces ou la transconductance. Ces deux techniques ont ete evaluees par l'experimentation, un modele bidimensionnel est adapte pour nous permettre de comprendre le comportement physique du composant. Les effets de la couche p et des regions intermediaires (n) ont permis d'optimiser les transistors selon le type d'application