Etude des effets parasites et des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ à haute mobilité électronique

Study of the parasitic effects and degradation mechanisms of the high electron mobility field effect transistor

• Auteur / Autrice : Abdenabi Belhadj
• Direction : Jean-Michel Dumas
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1990
• Etablissement(s) : Limoges
• Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques

Mots clés

Mots clés contrôlés

Bruit radioélectrique

Circuits intégrés

Micro-ondes

Résumé

Les avantages en termes de performances microondes du transistor a effet de champ a haute mobilite electronique sont prealablement etudies. Puis une investigation des principaux effets parasites penalisant l'integration monolithique est menee et le role du residuel accepteur de la couche tampon de gaas est identifie. Une solution technologique attenuant les effets a basse temperature du piege dx est egalement validee. Enfin une etude de fiabilite montre que les durees de vie obtenues se situent au niveau de l'etat-de-l'art actuel du mesfet gaas