Influence de la transition cristal-amorphe sur l'emission electronique secondaire et l'emission auger du silicium irradie par des ions de gaz rares

Influence of the crystalline-amorphous phase transition on the secondary electron emission and the auger emission of silicium irradiated by noble gas ions

• Auteur / Autrice : PASCAL HECQUET
• Direction : Claude Benazeth
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Toulouse 3

Résumé

Ce memoire concerne l'etude de l'emission electronique secondaire (incluant l'emission auger) observee lors de l'irradiation de cibles de si(111) par des ions de gaz rares de moyenne energie (5-80 kev). Sur le plan experimental, l'exploitation des distributions d'energie des electrons secondaires conduit a l'obtention des coefficients d'emission electronique (nombre d'electrons par ion incident) et des valeurs absolues des rendements auger. La variation de ces grandeurs en fonction de la temperature de la cible permet de determiner les temperatures de transition de phase cristal-amorphe sous irradiation. L'influence de l'energie, de la nature et de l'angle d'incidence du faisceau sont etudiees. Un modele de simulation numerique de l'emission auger a ete elabore. Il est base sur le developpement des cascades de collisions atomiques dans les solides (code marlowe). La 1ere partie de ce travail fait le poinr sur les connaissances theoriques actuelles concernant l'interaction d'ions lourds energetiques avec la matiere condensee. L'accent est mis particulierement sur les problemes d'amorphisation de cibles semiconductrices. L'ensemble experimental, decrit dans la 2eme partie, se compose d'un accelerateur de particules et d'une enceinte de mesure a ultravide. Un systeme d'analyse a potentiel retardateur avec derivation electronique et detection synchrone donne la distribution d'energie des electrons secondaires emis avec une energie comprise entre 0 et quelques centaines ev. Dans une derniere partie, les resultats experimentaux sont presentes et discutes en comparaison avec les donnees du modele de simulation numerique