Réalisation et étude de fines couches d'isolant pour la VLSI : caractérisation électrique et optique des interfaces SiO2/Si(P) et Si3N4/Si(N)

Realization and study of thin insulator films for vlsi. Electrical and optical characterization of sio#2/si (p) and si#3n#4/si (n) interfaces

• Auteur / Autrice : Panagiota Morfouli
• Direction : Georges Pananakakis
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique composants semiconducteurs
• Date : Soutenance en 1989
• Etablissement(s) : Grenoble INPG

Mots clés

Mots clés libres

Sciences appliquees

Electronique

Caracterisation electrique optique

Oxydation anodique thermique

Couches silice vlsi

Methode conductance

Injection fowler nordheim

Interfaces sio#2

Si si#3n#4

Si

Nitrures technologie pecvd

Simulation caracteristiques courant-tension

Résumé

L'evolution des technologies de fabrication de circuits integres (vlsi ou ulsi) consiste a diminuer de plus en plus les dimensions des dispositifs elementaires. Cette miniaturisation entrainant une diminution de la fiabilite des dispositifs, il est necessaire de bien connaitre leurs parametres electriques. L'objectif de ce travail est la caracterisation de couches fines de silice obtenues par deux types differents d'oxydation (anodique ou thermique) a l'aide de mesures electriques en obscurite ou sous illumination (courant-tension, capacite-tension et conductance-tension), ou optiques (photoemission interne). Il a ete entrepris par ailleurs la caracterisation d'un autre type d'isolant, le nitrure, fabrique dans un reacteur industriel et par la technique pecvd (plasma enhanced chemical vapor deposition). Une etude electrique et stchiometrique prelimaire de ces couches est egalement presentee