Génération interfaciale et distribution des états d'interface dans les structures MOS et diodes contrôlées par grille

par Abdellah Bouassis

Thèse de doctorat en Composants électroniques

Sous la direction de Jean Oualid.


  • Résumé

    Ce travail est consacre aux problemes souleves par la caracterisation de l'activite electronique de l'interface si/sio#2 definie par la distribution des etats d'interface et par la vitesse de generation interfaciale mesurees sur les capacites, ou sur des transistors mos (utilises comme des diodes controlees par grille) qui constituent les composants principaux des puces test destinees a controler les differentes etapes de realisation d'un circuit integre. Cette caracterisation a ete effectuee sur des plaquettes de circuit integres pour lesquels, les courants de fuite en general et la generation interfaciale en particulier, doivent etre imperativement minimises


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Informations

  • Détails : 2 vol. (111 p.) (non paginé)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. p.112-118

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences - Inspé.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : T 1419

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  • Bibliothèque : Université de Lille. Service commun de la documentation. Bibliothèque universitaire de Sciences Humaines et Sociales.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 1989AIX3A003
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