Caractérisation des courants de fuite dans les diodes contrôlées par grille sur S. O. I

par Jamel Bouzidi

Thèse de doctorat en Composants électroniques

Sous la direction de Jean Oualid.


  • Résumé

    Le travail presente dans ce memoire a consiste en la caracterisation de la qualite electronique de couches soi et de leurs deux interfaces en mesurant les grandeurs fondamentales associees (durees de vie de generation des porteurs minoritaires et vitesses de generation interfaciales) sur des diodes controlees par grille. Cette caracterisation a ete effectuee sur des plaquettes de puces test, elaborees au laboratoire de microelectronique de louvain-la-neuve (ucl) et au leti, par l'etude de la variation du courant inverse de la jonction de diodes controlees par grille sur film mince soi obtenu par recristallisation laser en fonction de la temperature et de la polarisation de grille ou de substrat, ce qui a permis d'acceder aux valeurs des grandeurs fondamentales

  • Titre traduit

    Caracterization of leakage currents in gate controlled diodes made in S. O. I.


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Informations

  • Détails : 190 p.
  • Notes : Publication autorisée par le jury

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences - Inspé.
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  • Cote : T 1468

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  • Accessible pour le PEB
  • Cote : MF-1989-BOU
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